ed digital

本篇文章给大家谈谈《ed digital》对应的知识点，希望对各位有所帮助。

本文目录一览：

• 1、江桥万达广场有什么牌子
• 2、nandflash和norflash的区别
• 3、在手机论坛中常可以看到“NAND”，“NAND”是什么？

江桥万达广场有什么牌子

我家就再江桥这里的，牌子的话我都兜过了。很辛苦地找全了。希望亲把分给我。

主力品牌：第一食品 、大玩家 、大歌星 、万千百货 、宝大祥 、新华书店 、永乐生活电器 、万达影城(最新确认有 IMAX屏幕）

健身房：一兆韦德

化妆品：SEPHORA、清林轩

数码品牌：苹果数码

超市/便利店：家乐福（两万平方购物面积 大虹桥旗舰店）、万宁 、SASA 、屈臣氏

餐饮：梦都会（本帮菜）、广州蕉叶（泰国菜）、豆捞坊（火锅）、辉哥（火锅）、釜山料理（韩国料理）、汉拿山（韩国料理）、麻辣诱惑（川菜）、大丰收（川菜）、望湘园（湘菜）、味千拉面（日料简餐）、必胜客（披萨）、避风塘（港式茶餐厅）、一茶一坐（台湾简餐）、仙踪林（简餐茶馆）、 DQ(冷饮）、宜芝多（面包房）、哈根达斯（冷饮）、满记甜品（甜品）、肯德基（简餐）、麦当劳（简餐）、星巴克（咖啡店）、伊秀手握寿司（日本料理）、西贝攸面村（西北风味餐厅）、1001原汁牛肉面、美珍香（小吃）

手表首饰：西铁城（时间廊）、casio 、IDO、阿吉豆、DIVA

流行服饰：MARKSSPENCER（玛莎百货）、HM、 ZARA、CA（暂不确定）、优衣库、欧时力、马克华菲、Hotwind、ASOBIO、Lee、Levis、BasicHouse、Only、VeroModa、SELECTED、JACKJONES、azona ao2、ELAND、Esprit/edc、honeys、Prich、Roem、MECITY、Bershka(这个上海很少，是zara的副牌 偏少女风格）、Eastide(东之澜）、GXG 、Teenie Weenie、motivi、 mindbridge(男装）、charles keith、Candie’s、La chapelle

体育品牌：adidas、nike、三叶草、crocs、footmark（是一家云集了NIKE, ADIDAS, PUMA, CONVERSE, LACOSTE, NEWBALANCE, VANS, ONITSUKA TIGER, DR. MARTENS等20余个潮流品牌鞋子的精品商店）

美容美发：星密码（还算比较知名的一家美发店，在大悦城、中山公园等处都有分店）

眼镜店：巴黎三城(眼睛店）

拼图店：雷诺瓦（文化拼图——个人很喜欢的一家拼图店、质量很好，旗舰店在正大）

nandflash和norflash的区别

nand flash和nor flash的区别如下：

1、开发的公司不同：

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place）。

Nand flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

2、存储单元关系的不同：

两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。

3、擦除操作的不同：

NAND FLASH执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR FLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

参考资料来源：百度百科-Nand flash

参考资料来源：百度百科-NOR Flash

在手机论坛中常可以看到“NAND”，“NAND”是什么？

NAND技术

NAND

Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。

NAND技术Flash Memory具有以下特点：（1） 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。（2） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。（3） 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。（4） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术，包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0�18μm工艺，存储容量为512Mb。

UltraNAND

AMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术，称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容：拥有比NAND技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。

与DINOR技术一样，尽管UltraNAND技术具有优势，但在当前的市场上仍以NAND技术为主流。UltraNAND 家族的第一个成员是AM30LV0064，采用0.25μm制造工艺，没有失效块，可在至少104次擦写周期中实现无差错操作，适用于要求高可靠性的场合，如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的AM30LV0128容量达到128Mb，而在AMD的计划中UltraNAND技术Flash Memory将突破每兆字节1美元的价格限制，更显示出它对于NOR技术的价格优势。

3 AND技术

AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash Memory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。

Hitachi和Mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺，并结合MLC技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用双密度封装技术DDP（Double Density Package Technology），将2片512Mb芯片叠加在1片TSOP48的封装内，形成一片1Gb芯片。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，读电流为2mA，待机电流仅为1μA，同时由于其内部存在与块大小一致的内部RAM 缓冲区，使得AND技术不像其他采用MLC的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。

4 由EEPROM派生的闪速存储器

EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点：（1） 读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（2） 与EEPROM比较，具有明显的成本优势。（3） 存储密度比EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。

Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构（1页为128或256B），对页执行读写操作，因而既具有NOR技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代EPROM。

DataFlash Memory是ATMEL的专利产品，采用SPI串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。

三、 发展趋势

存储器的发展都具有更大、更小、更低的趋势，这在闪速存储器行业表现得尤为淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展，主流闪速存储器厂家采用0�18μm，甚至0.15μm的制造工艺。借助于先进工艺的优势，Flash Memory的容量可以更大：NOR技术将出现256Mb的器件，NAND和AND技术已经有1Gb的器件；同时芯片的封装尺寸更小：从最初DIP封装，到PSOP、SSOP、TSOP封装，再到BGA封装，Flash Memory已经变得非常纤细小巧；先进的工艺技术也决定了存储器的低电压的特性，从最初12V的编程电压，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V单电压供电。这符合国际上低功耗的潮流，更促进了便携式产品的发展。

另一方面，新技术、新工艺也推动Flash Memory的位成本大幅度下降：采用NOR技术的Intel公司的28F128J3价格为25美元，NAND技术和AND技术的Flash Memory将突破1MB 1美元的价位，使其具有了取代传统磁盘存储器的潜质。

世界闪速存储器市场发展十分迅速，其规模接近DRAM市场的1/4，与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。Flash Memory的迅猛发展归因于资金和技术的投入，高性能低成本的新产品不断涌现，刺激了Flash Memory更广泛的应用，推动了行业的向前发展。

关于《ed digital》的介绍到此就结束了。